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64层3D闪存“中国芯”实现量产 产品水平与美国仅差一步
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2019-09-04 22:21 来源:侨报网综合 编辑:陶榕青

侨报网综合讯】上海中国国际半导体博览会举行前夕,中国紫光集团旗下长江存储2日宣布,公司已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3D NAND),容量为256Gb,以满足固态硬盘(SSD)嵌入式存储等主流市场应用的需求,这也是中国首款64层三维闪存芯片,标志着长江存储已走出一条高端芯片设计制造之路,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年内,被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

上海澎湃新闻报道,长江存储联席首席技术官程卫华称:“将Xtacking架构引入批量生产,能显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”

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▲长江存储启动64层3D NAND闪存量产。(图片来源:大陆央视网视频截图)

香港《大公报》报道,紫光集团联席总裁刁石京则介绍,长江存储进入这个领域前,中国一直没有大规模存储芯片生产,随着云计算、大数据的发展,人类对数据存储要求是越来越高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域,它的量产标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步,把中国产品水平跟海外先进水平缩短到了一代。

因此,业界预测,长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存,实现“弯道超车”。

放眼全球,存储芯片竞争激烈,三星、东芝、西部数据、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年,64层、72层的3D NAND闪存就已是主力产品,2019年开始量产92层、96层产品,到2020年,大厂们将进入128层3D NAND闪存的量产。业界认为,长江储存发展迅速,但目前表态保守,其虽未公布量产规模,预计2020年底可望将产能提至月产6万片晶圆的水平。大陆央视则称,长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩垄断下,长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。(完)

编辑:陶榕青
侨报网新闻,未经授权不得转载
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